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PECVD原理
PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) — 等离子体增强化学气相沉积法
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射频磁控溅射原理
射频磁控溅射是形容固体靶中的原子被高能量离子撞击而离开固体进入气体的物理过程。溅射过程中的离子通常来自等离子体（射频电源可以产生等离子体）。
磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点：利用磁场与电场交互作用，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，从而增大电子撞击氩气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。
一般是在充有惰性气体的真空系统中，通过高压电场的作用，使得氩气电离，产生氩离子流，轰击靶阴极，被溅出的靶材料原子或分子沉淀积累在半导体芯片或玻璃、陶瓷上而形成薄膜。
溅射的优点是能在较低的温度下制备高熔点材料的薄膜，在制备合金和化合物薄膜的过程中保持原组成不变，所以在半导体器件和集成电路制造中已获得广泛的应用。
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热烈庆祝腾讯财经网站报道中科院RFG系列射频电源荣获第七届国际发明展览会银奖
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中国科学院微电子所射频电源(RF Generator)课题组(www.rf-power.net)从1984年开始研发电子管射频电源(13.56MHz)，1985年研制成功，获得 六五攻关荣誉证书以及FD-2反应离子刻蚀机与超精细刻蚀研究项目二等奖。
从2010年开始受到极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项(国家02重大专项)资金支持，研发晶体管射频电源，2011年研发成功300W-3000W晶体管射频电源(13.56MHz)，获得第七届国际发明展览会银奖。产品现已售往北京、上海、杭州、苏州、香港、南京、西安、成都、深圳等地的几十所高校、科研单位及半导体设备厂等高技术公司，得到用户的一致好评
经过二十多年的发展完善，产品的性能不断提高，规格齐全,年销售电子管与晶体管射频源占国内市场份额的70%以上。
目前开发成熟的电子管与晶体管射频电源产品有：300W、500W、1KW、1250W、1.5KW、2KW、3KW、5KW、6KW、8KW、10KW等多种规格以及不同功率的400KHz高频电源及不同功率的稳流源与自动匹配器。
射频电源广泛应用于等离子体研究，集成电路工艺设备，太阳能光伏工业，LED制程，薄膜生长，感应加热，医疗领域的消毒与理疗，等离子清洗等领域。
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中国科学院微电子研究所射频电源(RF Generator)课题组从1984年开始研发电子管射频电源(13.56MHz)，1985年研制成功，获得“ 六五”攻关荣誉证书以及“FD-2反应离子刻蚀机与超精细刻蚀研究”项目二等奖。
从2010年开始受到极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项（国家02重大专项）资金支持，研发晶体管射频电源，2011年研发成功300W-3000W晶体管射频电源(13.56MHz)，获得第七届国际发明展览会银奖。
目前开发成熟的电子管与晶体管射频电源产品有：300W、500W、1KW、1250W、1.5KW、2KW、3KW、5KW、6KW、8KW、10KW等多种规格以及不同功率的400KHz高频电源及不同功率的稳流源与自动匹配器。
射频电源广泛应用于等离子体研究，集成电路工艺设备，太阳能光伏工业，LED制程，薄膜生长，感应加热，医疗领域的消毒与理疗，等离子清洗等领域。
经过二十多年的发展完善，产品的性能不断提高，规格齐全,年销售电子管与晶体管射频源占国内市场份额的70%以上。
产品现已售往北京、上海、杭州、苏州、香港、南京、西安、成都、深圳等地的几十所高校、科研单位及半导体设备厂等高技术公司，得到用户的一致好评。
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报道网址：http://cs.sina.com.cn/minisite/news/212301048500.html
中国科学院微电子研究所射频电源(RF Generator)课题组从1984年开始研发电子管射频电源(13.56MHz)，1985年研制成功，获得“六五”攻关荣誉证书以及“FD-2反应 离子刻蚀机与超精细刻蚀研究”项目二等奖。
从2010年开始受到国家02重大专项资金支持，研发晶体管射频电源，2011年研发成功300W-3000W晶体管射频电源(13.56MHz)，获得第七届国际发明展览会银奖。产品现已售往北京、上海、杭州、苏州、香港、南京、西安、成都、深圳等地的几十所高校、科研单位及半导体设备厂等高技术公司，得到用户的一致好评
年销售电子管与晶体管射频源占国内市场份额的70%以上。
